Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7807APBF Datasheet 文档
IRF7807APBF
器件3D模型
0.375
IRF7807APBF 数据手册 (1 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7807APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
6.60 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
25 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7807A
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.30 A
上升时间
17.0 ns
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7807APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7807APBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.71 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.19 MByte

IRF7807 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
芯片组为DC- DC转换器 Chip-Set for DC-DC Converters
Infineon(英飞凌)
IRF7807ZTRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF7807VPBF SO-8
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 11A
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF7807 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z