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IRF7807D1PBF
器件3D模型
0.319
IRF7807D1PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7807D1PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
8.30 A
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
25 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7807D1
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.30 A
正向电流
3.5 A
正向电压(Max)
500 mV
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7807D1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7807D1PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.17 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.16 MByte

IRF7807D1 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
MOSFET /肖特基二极管 MOSFET / SCHOTTKY DIODE
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7807D1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 25 mohm, 4.5 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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