器件3D模型

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IRF7807D1TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF7807D1TR 数据手册 (8 页)

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IRF7807D1TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

8.30 A

封装

SOIC-8

极性

N-CH

功耗

2.5W (Ta)

零部件系列

IRF7807D1

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

8.30 A

额定功率(Max)

2.5 W

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

IRF7807D1TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

End of Life

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7807D1TR 符合标准

IRF7807D1TR 概述

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