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IRF7807ZPBF
器件3D模型
0.414
IRF7807ZPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7807ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0138 Ω
极性
N-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
1.8 V
输入电容
770pF @15V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
11A
上升时间
6.2 ns
输入电容值(Ciss)
770pF @15V(Vds)
下降时间
3.1 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7807ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7807ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.47 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.56 MByte

IRF7807 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
芯片组为DC- DC转换器 Chip-Set for DC-DC Converters
Infineon(英飞凌)
IRF7807ZTRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF7807VPBF SO-8
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 11A
International Rectifier(国际整流器)
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