器件3D模型

￥ 0.661

IRF7809AVPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

INFINEON IRF7809AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14.5 A, 30 V, 0.007 ohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7809AVPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF7809AVPBF 数据手册 (8 页)

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IRF7809AVPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.007 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

13.3A

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

3780pF @16V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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IRF7809AVPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Rail, Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF7809AVPBF 符合标准

IRF7809AVPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.57 MByte

IRF7809AVPBF 产品设计参考手册

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270 页 / 11.59 MByte

IRF7809AVPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.17 MByte

IRF7809AVPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF7809AVPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.56 MByte

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