器件3D模型

￥ 1

IRF7811AVPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7811AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7811AVPBF 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

IRF7811AVPBF 数据手册 (6 页)

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IRF7811AVPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

3.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.011 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

10.8A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

1801pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF7811AVPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7811AVPBF 符合标准

IRF7811AVPBF 概述

IRF7811AVPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.1 MByte

IRF7811AVPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7811AVPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.57 MByte

IRF7811AVPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7811AVPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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