Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF7832TRPBF Datasheet 文档
IRF7832TRPBF
器件3D模型
0.267
IRF7832TRPBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7832TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0031 Ω
极性
N-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
2.32 V
输入电容
4310 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
6.7 ns
正向电压(Max)
1 V
输入电容值(Ciss)
4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
155 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7832TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 155℃ (TJ)

IRF7832TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7832 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 20A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF7832 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z