Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF7842PBF Datasheet 文档
IRF7842PBF
器件3D模型
0.723
IRF7842PBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7842PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
输出电流
≤2.50 A
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.005 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
2.25 V
输入电容
4500pF @20V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
4500pF @20V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7842PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7842PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF7842 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40 V ) Power MOSFET(Vdss = 40 V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7842TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
40V,5mΩ,18A,N沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 40V 18A
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z