器件3D模型

￥ 0.392

IRF7842TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7842TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7842TRPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF7842TRPBF 数据手册 (10 页)

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IRF7842TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.004 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

2.25 V

输入电容

4500 pF

漏源极电压(Vds)

40 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

4500pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF7842TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7842TRPBF 符合标准

IRF7842TRPBF 概述

IRF7842TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.21 MByte

IRF7842TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7842TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF7842TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7842TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF7842TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

IRF7842TRPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = 40 V ） Power MOSFET(Vdss = 40 V)

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N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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