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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > IRF7907PBF-1 Datasheet 文档
IRF7907PBF-1
器件3D模型
0

IRF7907PBF-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
9.1A/11A

IRF7907PBF-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRF7907PBF-1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 3.97 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF7907 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N沟道 30 V 16.4 mOhm 6.7 nC HEXFET 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7907PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 11 A, 30 V, 0.0137 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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