器件3D模型

￥ 0.105

IRF8113TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF8113TR 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF8113TR 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF8113TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-8

极性

N-CH

功耗

2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

17.2A

输入电容值(Ciss)

2910pF @15V(Vds)

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

查看数据手册 >

IRF8113TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF8113TR 符合标准

IRF8113TR 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.26 MByte

IRF8113TR 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.21 MByte

IRF8113 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF8113 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF8113 数据手册

IRF

功率MOSFET Power MOSFET

IRF8113TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF8113TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新

IRF8113TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V

IRF8113PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF8113PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V

IRF8113PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道 30V 17.2A

IRF8113TR 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF8113GTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF8113GPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道 30V 17.2A

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号