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IRF820B
0.051
IRF820B 数据手册 (10 页)
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IRF820B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
210 mΩ
极性
N-Channel
功耗
49 W
漏源极电压(Vds)
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
30 ns
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF820B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

IRF820B 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.83 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.28 MByte

IRF820 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Samsung(三星)
Motorola(摩托罗拉)
Intersil(英特矽尔)
2.5A , 500V , 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 500V 4A
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 3.0 A, 450 V / 500 V N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
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