￥ 0.804

IRF820STRLPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF820STRLPBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF820STRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

3 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

8.6 ns

输入电容值(Ciss)

360pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3100 mW

查看数据手册 >

IRF820STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2000

查看数据手册 >

IRF820STRLPBF 符合标准

IRF820STRLPBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

IRF820STRLPBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.19 MByte

IRF820 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

IRF820 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF820 数据手册

Samsung（三星）

IRF820 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

IRF820 数据手册

Intersil（英特矽尔）

2.5A ， 500V ， 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF820 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF820 数据手册

Harris

N沟道 500V 4A

IRF820 数据手册

Vishay Siliconix

IRF820 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF820 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 450 V / 500 V N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号