￥ 0.189

IRF830 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF830 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

IRF830 数据手册 (8 页)

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IRF830 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

4.50 A

封装

TO-220-3

功耗

100 W

输入电容

610 pF

栅电荷

30.0 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

610pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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IRF830 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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IRF830 符合标准

IRF830 概述

IRF830 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.27 MByte

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