￥ 1.363

IRF8301MTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

INFINEON IRF8301MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 192 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF8301MTRPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF8301MTRPBF 数据手册 (10 页)

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IRF8301MTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

89 W

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0013 Ω

极性

N-Channel

功耗

89 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

34A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

6140pF @15V(Vds)

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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IRF8301MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF8301MTRPBF 符合标准

IRF8301MTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.33 MByte

IRF8301MTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF8301MTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

IRF8301MTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF8301MTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF8301MTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRF8301 数据手册

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