IRF8304MTR1PBF

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IRF8304MTR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF8304MTR1PBF 数据手册 (3 页)

或点击图片查看大图

IRF8304MTR1PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

极性

N-CH

功耗

100 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

28A

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

4700pF @15V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 100W (Tc)

IRF8304MTR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

3 mm

高度

1.11 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF8304MTR1PBF 符合标准

IRF8304MTR1PBF 概述

IRF8304MTR1PBF 数据手册

IRF8304MTR1PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRF8304MTR1PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.26 MByte

IRF8304MTR1 数据手册

IRF8304MTR1PBF 数据手册

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IRF8304MTR1PBF 数据手册

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