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IRF8707PBF
器件3D模型
0.083
IRF8707PBF 数据手册 (9 页)
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IRF8707PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
漏源极电阻
0.0119 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
11A
上升时间
7.9 ns
输入电容值(Ciss)
760pF @15V(Vds)
下降时间
4.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF8707PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF8707PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.56 MByte

IRF8707 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8707TRPBF  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8707GTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0093 ohm, 10 V, 1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8707PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8707GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 11mA
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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