IRF8707PBF

器件3D模型

￥ 0.236

IRF8707PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF8707PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF8707PBF 数据手册 (9 页)

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IRF8707PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

漏源极电阻

0.0119 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

7.9 ns

输入电容值(Ciss)

760pF @15V(Vds)

下降时间

4.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF8707PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF8707PBF 符合标准

IRF8707PBF 概述

IRF8707PBF 数据手册

IRF8707PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRF8707PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF8707PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRF8707PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF8707PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF8707PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.56 MByte

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N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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