IRF8788PBF

器件3D模型

￥ 0.258

IRF8788PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF8788PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF8788PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF8788PBF 数据手册 (9 页)

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IRF8788PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

24A

上升时间

24 ns

输入电容值(Ciss)

5720pF @15V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF8788PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF8788PBF 符合标准

IRF8788PBF 概述

IRF8788PBF 数据手册

IRF8788PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.22 MByte

IRF8788PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF8788PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.47 MByte

IRF8788PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF8788PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF8788PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.56 MByte

IRF8788 数据手册

IRF8788 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF8788TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF8788TRPBF 袋装

IRF8788PBF 数据手册

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INFINEON IRF8788PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 V

IRF8788TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF8788PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道 30V 24A

IRF8788TRPBF-1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF8788PBF-1 数据手册

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