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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF8910TRPBF Datasheet 文档
IRF8910TRPBF
器件3D模型
0.539
IRF8910TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF8910TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
10.0 A
封装
SOIC-8
通道数
2 Channel
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF8910
阈值电压
2.55 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
960pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

IRF8910TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF8910TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.27 MByte

IRF8910 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8910TRPBF  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8910PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 20 V, 13.4 mohm, 10 V, 2.55 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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