器件3D模型

￥ 0.142

IRF9333TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF9333TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9333TRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF9333TRPBF 数据手册 (8 页)

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IRF9333TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0156 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

零部件系列

IRF9333

输入电容

1110 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-9.20 A

上升时间

44 ns

输入电容值(Ciss)

1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

49 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF9333TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF9333TRPBF 符合标准

IRF9333TRPBF 概述

IRF9333TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.3 MByte

IRF9333TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF9333TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 3.97 MByte

IRF9333TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF9333TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF9333TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

IRF9333 数据手册

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INFINEON IRF9333PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

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