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IRF9410TR
器件3D模型
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IRF9410TR 数据手册 (7 页)
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IRF9410TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
7A
输入电容值(Ciss)
550pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF9410TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9410TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte

IRF9410 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.030ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)
Infineon(英飞凌)
IRF9410TRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9410PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 7A, SOICSIS 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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