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IRF9510PBF
0.562
IRF9510PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9510PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-4.00 A
封装
TO-220-3
额定功率
43 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.2 Ω
极性
P-Channel
功耗
43 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
-100 V
连续漏极电流(Ids)
-4.00 A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
43 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
43 W

IRF9510PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF9510PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.26 MByte
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IRF9510 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Intersil(英特矽尔)
3.0A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-100V,-4A,1.2Ω@-10V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9510PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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