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IRF9510PBF
0.431
IRF9510PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9510PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
43000 mW
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
200pF @25V(Vds)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
43W (Tc)

IRF9510PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF9510PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
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IRF9510 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Intersil(英特矽尔)
3.0A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-100V,-4A,1.2Ω@-10V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9510PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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