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IRF9520PBF
0.499
IRF9520PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9520PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
60000 mW
上升时间
29 ns
输入电容值(Ciss)
390pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
60W (Tc)

IRF9520PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF9520PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRF9520 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Harris
P沟道 100V 6A
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
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