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IRF9540NSPBF
0.498
IRF9540NSPBF 数据手册 (11 页)
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IRF9540NSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
3.8 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.117 Ω
极性
P-Channel
功耗
140 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
23A
上升时间
67 ns
输入电容值(Ciss)
1450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
51 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3800 mW

IRF9540NSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9540NSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF9540 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
19A , 100V , 0.200欧姆,P沟道功率MOSFET 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道 100V 19A
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
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