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IRF9610PBF
1.049
IRF9610PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9610PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-200 V
额定电流
-1.80 A
封装
TO-220-3
额定功率
20 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3 Ω
极性
P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
-200 V
连续漏极电流(Ids)
-1.80 A
上升时间
15.0 ns
输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
20 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF9610PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF9610PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.25 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.14 MByte

IRF9610 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 3.0ohm ,ID = -1.8A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9610SPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK
Vishay Siliconix
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