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IRF9610SPBF
0.564
IRF9610SPBF 数据手册 (11 页)
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IRF9610SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3 Ω
极性
P-Channel
功耗
20 W
漏源极电压(Vds)
-200 V
漏源击穿电压
-200 V
连续漏极电流(Ids)
-1.80 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3 W

IRF9610SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF9610SPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
11 页 / 0.19 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
10 页 / 0.19 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.06 MByte

IRF9610 数据手册

VISHAY(威世)
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Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 3.0ohm ,ID = -1.8A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9610SPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK
Vishay Siliconix
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