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IRF9620PBF
0.719
IRF9620PBF 数据手册 (8 页)
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IRF9620PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
40000 mW
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

IRF9620PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9620PBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRF9620 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
3.5A , 200V , 1.500欧姆,P沟道功率MOSFET 3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 1.5ohm ,ID = -3.5A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9620PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
P沟道 200V 3.5A
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