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IRF9640PBF
0.877
IRF9640PBF 数据手册 (9 页)
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IRF9640PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
125000 mW
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
43 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
125W (Tc)

IRF9640PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9640PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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IRF9640 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
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11A , 200V , 0.500欧姆,P沟道功率MOSFET 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
Samsung(三星)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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