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IRF9Z14SPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z14SPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF9Z14SPBF 数据手册 (10 页)

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IRF9Z14SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-6.70 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

500 mΩ

极性

P-Channel

功耗

3.7 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

-60.0 V

连续漏极电流(Ids)

-6.70 A

上升时间

63 ns

输入电容值(Ciss)

270pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.7 W

下降时间

31 ns

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IRF9Z14SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

2000

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IRF9Z14SPBF 符合标准

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VISHAY（威世）

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