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IRF9Z20PBF
0.892
IRF9Z20PBF 数据手册 (8 页)
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IRF9Z20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
40000 mW
漏源极电压(Vds)
50 V
上升时间
57 ns
输入电容值(Ciss)
480pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

IRF9Z20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9Z20PBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
Vishay Siliconix
7 页 / 0.12 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRF9Z20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
IRF
P- CHANNEL 50伏电源的MOSFET P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
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