IRF9Z34 数据手册 - Samsung（三星）

INFINEON  IRF9540NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V

INFINEON  IRF9310TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V 新

INFINEON  IRF9540NSTRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 20 V, 4 V

INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V

P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

INFINEON  IRF9530NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V

INFINEON  IRF9358TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -9.2 A, -30 V, 0.013 ohm, -10 V, -1.8 V 新

功率MOSFET Power MOSFET

晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V