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IRFB3206GPBF
2.382
IRFB3206GPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB3206GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
210A
上升时间
82 ns
输入电容值(Ciss)
6540pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
83 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRFB3206GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB3206GPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRFB3206 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB3206PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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