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IRFB3207ZGPBF
2.38
IRFB3207ZGPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB3207ZGPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
300 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4.1 mΩ
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
170A
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
6920pF @50V(Vds)
下降时间
68 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRFB3207ZGPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB3207ZGPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.09 MByte

IRFB3207 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB3207ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB3207ZGPBF  场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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