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IRFB3207ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB3207ZPBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFB3207ZPBF 数据手册 (12 页)

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IRFB3207ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

300 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0041 Ω

极性

N-CH

功耗

300 W

阈值电压

4 V

输入电容

6920 pF

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

170A

上升时间

68 ns

输入电容值(Ciss)

6920pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

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IRFB3207ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.66 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB3207ZPBF 符合标准

IRFB3207ZPBF 概述

IRFB3207ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.47 MByte

IRFB3207ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB3207ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB3207ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB3207ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB3207ZPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRFB3207ZPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.04 MByte

IRFB3207ZPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

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