￥ 1.239

IRFB33N15DPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB33N15DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 56 mohm, 10 V, 5.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFB33N15DPBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFB33N15DPBF 数据手册 (12 页)

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IRFB33N15DPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

3.8 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.056 Ω

极性

N-Channel

功耗

170 W

阈值电压

5.5 V

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

33A

上升时间

38 ns

输入电容值(Ciss)

2020pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

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IRFB33N15DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB33N15DPBF 符合标准

IRFB33N15DPBF 概述

IRFB33N15DPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.27 MByte

IRFB33N15DPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB33N15DPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB33N15DPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB33N15DPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB33N15DPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.04 MByte

IRFB33N15DPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

IRFB33N15 数据手册

IRFB33N15DPBF 数据手册

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INFINEON IRFB33N15DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 56 mohm, 10 V, 5.5 V

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International Rectifier（国际整流器）

IRFB33N15D 数据手册

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IRF

功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.056ohm ，ID = 33A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)

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