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IRFB4310ZGPBF
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IRFB4310ZGPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB4310ZGPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
4.8 mΩ
极性
N-CH
功耗
250 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
127A
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
6860pF @50V(Vds)
下降时间
57 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

IRFB4310ZGPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB4310ZGPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.09 MByte

IRFB4310 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB4310PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 100 V, 5.6 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFB4310PBF  场效应管, MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,127A,6mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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