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IRFB4410ZGPBF
0.908
IRFB4410ZGPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB4410ZGPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
7.2 mΩ
极性
N-Channel
功耗
230 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
97A
上升时间
52 ns
输入电容值(Ciss)
4820pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
230 W
下降时间
57 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

IRFB4410ZGPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB4410ZGPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB4410 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
MOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,96A,10mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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