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IRFB4710PBF
0.889
IRFB4710PBF 数据手册 (12 页)
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IRFB4710PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.014 mΩ
极性
N-Channel
功耗
200 W
零部件系列
IRFB4710
阈值电压
5.5 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
130 ns
输入电容值(Ciss)
6160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFB4710PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB4710PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte

IRFB4710 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON)最大值= 0.014ohm ,ID = 75A ) Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB4710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,75A,14mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
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