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IRFB7446GPBF
0.319
IRFB7446GPBF 数据手册 (10 页)
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IRFB7446GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
2.6 mΩ
极性
N-CH
功耗
99 W
阈值电压
2.2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
123A
上升时间
34 ns
输入电容值(Ciss)
3183pF @25V(Vds)
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
99W (Tc)

IRFB7446GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB7446GPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB7446 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB7446PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFB7446GPBF TO-220AB
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 40V 120A
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