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IRFB7530PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB7530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB7530PBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRFB7530PBF 数据手册 (12 页)

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IRFB7530PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

375 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.00165 Ω

极性

N-Channel

功耗

375 W

阈值电压

3.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

295A

输入电容值(Ciss)

13703pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

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IRFB7530PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB7530PBF 符合标准

IRFB7530PBF 海关信息

IRFB7530PBF 概述

IRFB7530PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.29 MByte

IRFB7530PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB7530PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB7530PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB7530PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB7530PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRFB7530 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRFB7530PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFB7530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

IRFB7530PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7530PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-220AB-3 新

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