Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRFB9N60APBF Datasheet 文档
IRFB9N60APBF
0
IRFB9N60APBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFB9N60APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
600 V
额定电流
9.20 A
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
170 W
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
9.20 A

IRFB9N60APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

IRFB9N60APBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.27 MByte

IRFB9N60 数据手册

IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.75ohm ,ID = 9.2A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFB9N60APBF.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z