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IRFBC20L
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IRFBC20L 数据手册 (10 页)
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IRFBC20L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
600 V
额定电流
2.20 A
封装
TO-262
极性
N-Channel
功耗
50.0 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
2.20 A
上升时间
23.0 ns

IRFBC20L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

IRFBC20L 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.28 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.34 MByte

IRFBC20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 4.4ohm ,ID = 2.2A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC20PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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