IRFBE30

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IRFBE30 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFBE30 数据手册 (9 页)

或点击图片查看大图

IRFBE30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

4.10 A

漏源极电阻

3.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.10 A

上升时间

33 ns

下降时间

30 ns

IRFBE30 符合标准

IRFBE30 数据手册

IRFBE30 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.43 MByte

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