￥ 2.159

IRFBE30STRLPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFBE30STRLPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRFBE30STRLPBF 数据手册 (8 页)

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IRFBE30STRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

4.1A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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IRFBE30STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFBE30STRLPBF 符合标准

IRFBE30STRLPBF 数据手册

VISHAY（威世）

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