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IRFBF30PBF
1.578
IRFBF30PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBF30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
125 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
3.60 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
125 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125 W

IRFBF30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRFBF30PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 1.11 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.31 MByte

IRFBF30 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 900V , RDS(ON) = 3.7ohm ,ID = 3.6A ) Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBF30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
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