￥ 0.521

IRFBG20PBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道,1000V,1.4A,11Ω@10V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFBG20PBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFBG20PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

1.40 A

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

54.0 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1.00 kV

连续漏极电流(Ids)

1.40 A

查看数据手册 >

IRFBG20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

查看数据手册 >

IRFBG20PBF 符合标准

IRFBG20PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

8 页 / 0.64 MByte

IRFBG20 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFBG20 数据手册

Vishay Siliconix

IRFBG20 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBG20 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBG20 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 11ohm ，ID = 1.4A ） Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)

IRFBG20PBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBG20PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

IRFBG20PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,1000V,1.4A,11Ω@10V

IRFBG20PBF 数据手册

Vishay Siliconix

IRFBG20PBF 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号