IRFD024

器件3D模型

￥ 1.778

IRFD024 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFD024 数据手册 (10 页)

IRFD024 数据手册 (10 页)

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IRFD024 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.50 A

封装

DIP

极性

N-Channel

功耗

1.30 W

漏源极电压(Vds)

60.0 V

漏源击穿电压

60.0V (min)

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

58 ns

下降时间

42 ns

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IRFD024 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IRFD024 符合标准

IRFD024 数据手册

IRFD024 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 1.24 MByte

IRFD024 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.23 MByte

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