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IRFD024PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFD024PBF 数据手册 (8 页)

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IRFD024PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.50 A

封装

DIP-4

额定功率

1.3 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3 W

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IRFD024PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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IRFD024PBF 符合标准

IRFD024PBF 概述

IRFD024PBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 1.21 MByte

IRFD024PBF 其他数据使用手册

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9 页 / 1.23 MByte

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