IRFD110

器件3D模型

￥ 1.188

IRFD110 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFD110 数据手册 (9 页)

或点击图片查看大图

IRFD110 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

1.00 A

封装

DIP

漏源极电阻

540 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.30 W

漏源极电压(Vds)

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.00 A

上升时间

16 ns

下降时间

9.4 ns

IRFD110 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

IRFD110 符合标准

IRFD110 数据手册

IRFD110 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.14 MByte

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